А – анод
К – катод
С – сетка
сас – емкость анод-сетка
ССк – емкость сетка- катод
сак – емкость анод-катод
Б – база
К – коллектор
Э – эмиттер
сК – емкость коллектора
| Таблица 1.1 | ||||
| Тип активного элемента | Обозначение на схеме | Эквивалентная схема в области Нч | Эквивалентная схема в области Вч | Уравнение модели |
| Триод |
А – анод К – катод С – сетка |
|
сас – емкость анод-сетка ССк – емкость сетка- катод сак – емкость анод-катод |
|
| Биполярный транзистор (ОБ) |
Б – база К – коллектор Э – эмиттер |
|
сК – емкость коллектора |
|
| Окончание табл. 1.1 | ||||
| Тип активного элемента | Обозначение на схеме | Эквивалентная схема в области Нч | Эквивалентная схема в области Вч | Уравнение модели |
| Биполярный р-n-p транзистор (ОЭ) |
|
 |
 |
|
| Полевой транзистор с каналом n-типа** |
З – затвор И – исток С – сток |
 |
СзИ – емкость затвор-исток Сзс – емкость затвор-сток ССИ – емкость сток-исток |
|
* Биполярный транзистор p-n-p типа имеет модель аналогичную p-n-p. ** Полевой транзистор с p-каналом имеет модель аналогичную канала n-типа.
